HETEROEPITAXY OF INGAAS ON GAAS SUBSTRATE WITH INALAS INTERMEDIATE LAYER

被引：13

作者：

UEDA, T

ONOZAWA, S

AKIYAMA, M

SAKUTA, M

机构：

[1] Oki Electric Industry Co, Japan

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1988年 / 93卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(88)90576-3

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

Semiconducting Indium Compounds

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页码：517 / 522

页数：6

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共 11 条

[11] MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF GAP ON SI [J].

OLSON, JM ;

ALJASSIM, MM ;

KIBBLER, A ;

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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1986, 77 (1-3) :515-523