SIMULATION OF MOSFET LIFETIME UNDER AC HOT-ELECTRON STRESS

被引：41

作者：

KUO, MM

SEKI, K

LEE, PM

CHOI, JY

KO, PK

HU, CM

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,BERKELEY,CA 94720

[2] UNIV CALIF BERKELEY,ELECTR RES LAB,BERKELEY,CA 94720

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.3358

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：8