NEW TECHNOLOGY FOR TAPERED WINDOWS IN INSULATING FILMS

被引：6

作者：

ONO, H

TANGO, H

机构：

[1] Toshiba Corporation, Toshiba Research and Development Center, Kawasaki

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2129073

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：504 / 506

页数：3

共 4 条

[1] TAPERED WINDOWS IN PHOSPHORUS-DOPED SIO2 BY ION-IMPLANTATION [J].

NORTH, JC ;

MCGAHAN, TE ;

RICE, DW ;

ADAMS, AC .

[2]

ONO H, UNPUBLISHED

PARISI, GI ;

HASZKO, SE ;

ROZGONYI, GA .

SHIBAGAKI, M ;

HORIIKE, Y ;

YAMAZAKI, T .