SILICON UV-PHOTODIODES USING NATURAL INVERSION LAYERS

被引：82

作者：

HANSEN, TE

机构：

来源：

PHYSICA SCRIPTA | 1978年 / 18卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1088/0031-8949/18/6/025

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：471 / 475

页数：5

共 8 条

DEAL, BE ;

SKLAR, M ;

GROVE, AS ;

SNOW, EH .

[2] DEPLETION-LAYER PHOTOEFFECTS IN SEMICONDUCTORS [J].

GARTNER, WW .

PHYSICAL REVIEW, 1959, 116 (01) :84-87

[3]

GROVE AS, 1967, PHYS TECHNOL S, P347

[4]

HANSEN TE, 1978, CIIR730132

[5]

Lindmayer J, 1973, COMSAT TECH REV, V3, P1

[6]

NEUBERGER M, 1969, SILICON, P109

SALTER, GC ;

THOMAS, RE .

VONMUENCH, W ;

GESSERT, C ;

KOENIGER, ME .