PHOTODIODES AND JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH HIGH UV SENSITIVITY

被引：8

作者：

VONMUENCH, W

GESSERT, C

KOENIGER, ME

机构：

[1] TECH UNIV HANNOVER,INST WERKSTOFFKUNDE A,D-3000 HANNOVER,BUNDES REPUBLIK

[2] MESSERSCHMITT BOELKOW BLOHM CO,OTTOBRUNN,BUNDES REPUBLIK

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1976.18579

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1203 / 1207

页数：5

共 8 条

[1] DESIGN FOR SILICON INFRARED SENSING MOSFET [J].

FORBES, L ;

YEARGAN, JR .

[2]

Grove A.S., 1967, Doping vs Ef

[3]

Lindmayer J., 1973, COMSAT Tech. Rev, V3, P1

[4]

MCQUAT RF, 1975, 11TH P IEEE PHOT SPE, P371

MUENCH, WV ;

GESSERT, C .

PARKER, WC ;

FORBES, L .

[7]

Salter G. C., 1975, 11th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, P364

[8]

SCHAEFER FP, 1973, TOPICS APPLIED PHYSI, V1