SHALLOW IMPURITY SURFACE STATES IN SILICON AND GERMANIUM

被引：12

作者：

SCHECHTER, D

ROMERO, HV

BELL, RJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(68)90076-9

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：352 / +

页数：1

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共 3 条

BELL, RJ ;

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