INASPSB/INAS DIODE-LASER EMITTING IN THE 2.5-MU-M RANGE

被引：18

作者：

AKIBA, S

MATSUSHIMA, Y

IKETANI, T

USAMI, M

机构：

[1] KDD Meguro R&D Lab, Japan

来源：

关键词：

Diode Laser - Double Heterostructure - Emission wavelength - Fluoride Glass Fibre - LPE-growth;

D O I：

10.1049/el:19880725

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1069 / 1071

页数：3

共 5 条

CANEAU, C ;

SRIVASTAVA, AK ;

DENTAI, AG ;

ZYSKIND, JL ;

BURRUS, CA ;

POLLACK, MA .

[2]

FRANCE PW, 1987, 4TH P INT S HAL GLAS, P290

[3] DH LASERS FABRICATED BY NEW III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL INASPSB [J].

KOBAYASHI, N ;

HORIKOSHI, Y .

KOGUCHI, N ;

KIYOSAWA, T ;

TAKAHASHI, S .

[5]

MARTINELLI RU, 1988, OFC 88