ENHANCED ETCHING OF ION-IMPLANTED SILICON-NITRIDE IN BUFFERED HYDROFLUORIC-ACID

被引：8

作者：

PARRY, PD

BRISTOL, SP

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1978年 / 15卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.569667

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：664 / 667

页数：4

共 12 条

[1]

AKASAKA Y, 1974, J JPN SOC APPL PHYS, V43, P493

[2]

JACKSON JH, 1976, P 7 INT C EL ION BEA, P445

[3]

Mayer J. W., 1970, ION IMPLANTATION SEM

[4]

NISSE EPE, 1977, J APPL PHYS, V48, P3337

[5]

OEN OS, 6 P INT C AT COLL SO

[6] LOCALIZED SUBSTRATE HEATING DURING ION-IMPLANTATION [J].

PARRY, PD .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1978, 15 (01) :111-115

[7]

PARRY PD, 1975, J VAC SCI TECHNOL, V13, P622

PLISKIN, WA ;

GNALL, RP .

[9] ROTATING SCAN FOR ION-IMPLANTATION [J].

ROBERTSON, GI .

ROBINSON, MT ;

TORRENS, IM .

PHYSICAL REVIEW B, 1974, 9 (12) :5008-5024