EPITAXIAL GROWTH OF GAAS ON INSULATING SUBSTRATES USING HCL-H2 VAPOR TRANSPORT

被引：6

作者：

GUTIERREZ, WA

POMMERRENIG, HD

JASPER, MA

MANTZOURANIS, AP

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(70)90130-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1199 / +

页数：1

共 5 条

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