UNIAXIAL-STRESS ANALYSIS OF BOUND-EXCITON EXCITED-STATES IN LITHIUM-DOPED SILICON

被引:8
作者
HENRY, MO
LIGHTOWLERS, EC
机构
来源
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS | 1980年 / 13卷 / 11期
关键词
D O I
10.1088/0022-3719/13/11/021
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
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页码:2215 / 2224
页数:10
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