A DISCUSSION OF THE ROLE OF DISTRIBUTED EFFECTS IN LATCH-UP

被引：13

作者：

OCHOA, A

DRESSENDORFER, PV

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1981.4335715

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：4292 / 4294

页数：3

共 6 条

ADAMS, JR ;

SOKEL, RJ .

[2]

BARNARD WJ, 1980, GOMAC 1980 DIGEST PA, P225

[3] PREVENTION OF CMOS LATCH-UP BY GOLD DOPING [J].

DAWES, WR ;

DERBENWICK, GF .

[4]

ESTREICH P, 1980, THESIS STANDFORD U

[5]

Payne R. S., 1980, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P248

[6] LATCH-UP ELIMINATION IN BULK CMOS LSI CIRCUITS [J].

SCHROEDER, JE ;

OCHOA, A ;

DRESSENDORFER, PV .