ORIGIN OF LARGE DARK SPOTS IN ALXGA1-XAS-GAAS HETEROSTRUCTURE PHOTOLUMINESCENCE

被引：5

作者：

HENRY, CH ^{[1
]}

LOGAN, RA ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1977年 / 31卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.89648

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：203 / 205

页数：3

相关论文

共 3 条

[1] ELASTICALLY ENHANCED NONRADIATIVE RECOMBINATION AT ALXGA1-XAS-GAAS HETERO-INTERFACE
JOHNSTON, WD
LOGAN, RA
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1976, 28 (03) : 140 - 142
[2] MACROSCOPIC DETERIORATION OF FLUORESCENCE FROM ALCHIGA1-CHIAS-GAAS DH MATERIAL FOLLOWING MICROSCOPIC PHYSICAL DAMAGE
JOHNSTON, WD
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1974, 24 (10) : 494 - 496
[3] ANODIC-OXIDATION OF GAAS IN AQUEOUS H2O2 SOLUTION
LOGAN, RA
SCHWARTZ, B
SUNDBURG, WJ
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1973, 120 (10) : 1385 - 1390