SURFACE CHARGE AND ANNEALING IN SI/SIO2 SYSTEM

被引：8

作者：

BROTHERTON, SD

LAMB, DR

CLANCY, JW

机构：

来源：

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS | 1971年 / 31卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1080/00207217108938260

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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