SHORT-CHANNEL POLYSILICON-GATE MOSFETS FABRICATED BY CW ARGON-LASER ANNEALING OF ARSENIC-IMPLANTED SOURCE AND DRAIN

被引：2

作者：

TENG, TC

MERRITT, JD

VELEZ, J

PENG, J

PALKUTI, L

机构：

[1] SIGNET CORP,SUNNYVALE,CA 94086

[2] ADV RES & APPL CORP,SUNNYVALE,CA

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1980年 / 16卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19800335

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：477 / 478

页数：2

共 6 条

[1]

BOROFFKA H, P S LASER ELECTRON B, P178

[2] PHYSICAL AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF LASER-ANNEALED ION-IMPLANTED SILICON [J].

GAT, A ;

GIBBONS, JF ;

MAGEE, TJ ;

PENG, J ;

DELINE, VR ;

WILLIAMS, P ;

EVANS, CA .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1978, 32 (05) :276-278

[3]

GAT A, 1979, SOLID STATE TECH NOV, P59

[4]

Grove A. S., 1967, PHYS TECHNOL S, P188

[5]

HILL C, P S LASER ELECTRON B, P26

[6] SHORT-CHANNEL MOS FETS FABRICATED BY SELF-ALIGNED ION-IMPLANTATION AND LASER ANNEALING [J].

KOYANAGI, M ;

TAMURA, H ;

MIYAO, M ;

HASHIMOTO, N ;

TOKUYAMA, T .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1979, 35 (08) :621-623

← 1 →