LOCAL CRYSTALLIZATION OF THERMAL OXIDE FILM OF SILICON

被引：24

作者：

NAGASIMA, N

ENARI, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.10.441

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：441 / &

共 14 条

[1] STABILIZATION OF SILICON SURFACES BY THERMALLY GROWN OXIDES [J].

ATALLA, MM ;

TANNENBAUM, E ;

SCHEIBNER, EJ .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1959, 38 (03) :749-783

[2]

EVANS RJ, 1964, AFCRL64136

ING, SW ;

MORRISON, RE ;

SANDOR, JE .

[4]

KNOPP AN, 1967, ELECTROCHEM TECHNOL, V5, P37

[5]

MACKENZIE JD, 1960, MODERN ASPECTS VITRE, V1, P2

NAGASIMA, N .

[7]

REVESZ AG, 1968, RCA REV, V29, P22

[8]

REVESZ AG, 1966, FIELD EFFECT TRANSIS, P83

[9]

SATO K, 1968, MAY EL SOC M BOST

[10]

STEVELS JM, 1956, PHILIPS RES REP, V11, P103