UNDOPED N-TYPE GASB GROWN BY LIQUID-PHASE EPITAXY

被引：35

作者：

MIKI, H ^{[1
]}

SEGAWA, K ^{[1
]}

FUJIBAYASHI, K ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECT CORP, CENT RES LAB, ITAMI, HYOGO, JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.13.203

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：203 / 204

页数：2

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共 4 条

[1]

HOJO A, 1974, OYO BUTURI S, V43

[2]

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[3] HIGH PURITY GAAS CRYSTALS GROWN BY LIQUID PHASE EPITAXY [J].

MIKI, H ;

OTSUBO, M .

OTSUBO, M ;

SEGAWA, K ;

MIKI, H .