2 DISTINCT INTERFACE TRAP PEAKS IN RADIATION-DAMAGED METAL/SIO2/SI STRUCTURES

被引：46

作者：

DASILVA, EF

NISHIOKA, Y

MA, TP

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.98470

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：270 / 272

页数：3

共 5 条

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