GROUP-THEORETICAL STUDY OF ZEEMAN EFFECT OF ACCEPTORS IN SILICON AND GERMANIUM

被引：85

作者：

BHATTACHARJEE, AK

RODRIGUEZ, S

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B-SOLID STATE | 1972年 / 6卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.6.3836

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

收藏

页码：3836 / +

页数：1

相关论文

共 21 条

[21] ZEEMAN EFFECT OF IMPURITY LEVELS IN SILICON
ZWERDLING, S
BUTTON, KJ
LAX, B
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1960, 118 (04): : 975 - 986