LIFETIME AND DIFFUSIVITY DETERMINATION FROM FREQUENCY-DOMAIN TRANSIENT ANALYSIS

被引：16

作者：

MISIAKOS, K

NEUGROSCHEL, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1987.26659

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：358 / 360

页数：3

共 5 条

[1] MINORITY-CARRIER DIFFUSION-COEFFICIENTS IN HIGHLY DOPED SILICON [J].

DZIEWIOR, J ;

SILBER, D .

[2]

JUNG TW, 1984, IEEE T ELECTRON DEV, V31, P588, DOI 10.1109/T-ED.1984.21573

NEUGROSCHEL, A .

ROSE, BH .

THURBER, WR ;

MATTIS, RL ;

LIU, YM ;

FILLIBEN, JJ .