CHARGE INJECTION INTO SIO2 FROM REVERSE-BIASED JUNCTIONS

被引：18

作者：

BOSSELAA.CA ^{[1
]}

机构：

[1] NV PHILIPS GLOEILAMPENFABRIEKEN,SEMICONDUCTOR DEV LABS,NIJMEGEN,NETHERLANDS

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(73)90169-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：648 / 651

页数：4

共 14 条

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