MAGNESIUM-DOPED GAAS AND ALXGA1-XAS BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：88

作者：

CHO, AY ^{[1
]}

PANISH, MB ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1972年 / 43卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1661082

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：5118 / 5123

页数：6

相关论文

共 13 条

[11] CHO AY, 1970, J APPL PHYS, V41, P2789
[12] A TECHNIQUE FOR PREPARATION OF LOW-THRESHOLD ROOM-TEMPERATURE GAAS LASER DIODE STRUCTURES
PANISH, MB
HAYASHI, I
SUMSKI, S
[J]. IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 1969, QE 5 (04) : 210 - &
[13] VOCABULARY OF SURFACE CRYSTALLOGRAPHY
WOOD, EA
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1964, 35 (04) : 1306 - &