ION-IMPLANTATION DOPING OF CD0.2HG0.8TE FOR INFRARED DETECTORS

被引:45
作者
RYSSEL, H
LANG, G
BIERSACK, JP
MULLER, K
KRUGER, W
机构
[1] HAHN MEITNER INST KERNFORSCH BERLIN GMBH,D-1000 BERLIN 39,FED REP GER
[2] TECH UNIV MUNICH,INST RADIOCHEM,D-8046 GARCHING,FED REP GER
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1980.19819
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页数:5
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