SECONDARY MULTIPLICATION IN SILICON

被引：32

作者：

MOLL, JJ

MEYER, NI

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(61)90071-5

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：155 / 158

页数：4

共 4 条

[1] UNIFORM SILICON P-N JUNCTIONS .2. IONIZATION RATES FOR ELECTRONS [J].

CHYNOWETH, AG .

[2] IONIZATION RATES FOR ELECTRONS AND HOLES IN SILICON [J].

CHYNOWETH, AG .

PHYSICAL REVIEW, 1958, 109 (05) :1537-1540

[3] IONIZATION RATES FOR HOLES AND ELECTRONS IN SILICON [J].

MILLER, SL .

PHYSICAL REVIEW, 1957, 105 (04) :1246-1249

[4] PROBLEMS RELATED TO P-N JUNCTIONS IN SILICON [J].

SHOCKLEY, W .