STUDY OF THE PROPERTIES OF GAAS-ANODIC AL2O3 INTERFACES

被引：4

作者：

BAYRAKTAROGLU, B ^{[1
]}

SCHUERMEYER, FL ^{[1
]}

GRANT, JT ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV DAYTON,RES INST,DAYTON,OH 45469

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1979年 / 16卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1116/1.570227

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1483 / 1486

页数：4

共 7 条

BAYRAKTAROGLU, B ;

HANNAH, SJ ;

HARTNAGEL, HL .

[2] MULTIPLE INSULATOR LAYERS ON GAAS STUDIED BY AUGER ANALYSIS [J].

GRANT, JT ;

HARTNAGEL, HL ;

SCHUERMEYER, FL ;

BAYRAKTAROGLU, B ;

MAYS, D .

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