ION-BEAM CONTACTING OF P-TYPE GAP

被引：1

作者：

MERTENS, A

RECKIN, J

机构：

来源：

ACTA PHYSICA ACADEMIAE SCIENTIARUM HUNGARICAE | 1981年 / 51卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1007/BF03159674

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：371 / 377

页数：7

相关论文

共 5 条

[1] GALLIUM MIGRATION THROUGH CONTACT METALLIZATIONS ON GAP [J].

BRANTLEY, WA ;

SCHWARTZ, B ;

KERAMIDAS, VG ;

KAMMLOTT, GW ;

SINHA, AK .

[2] OHMIC CONTACTS ON N+- AND P+-SI BY ION-IMPLANTATION [J].

FEUERSTEIN, A ;

KALBITZER, S .

[3]

REETZ R, 1980, 11 ARB TAG PHYS HALB, P203

[4]

REETZ R, 1981, THESIS HUMBOLDT U

[5]

WINTERBON KB, 1975, ION IMPLANTATION RAN, V2, P79