STUDY OF COSI2/SI STRAINED LAYERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引:10
作者
KAO, YC
WANG, KL
DEFRESART, E
HULL, R
BAI, G
JAMIESON, D
NICOLET, MA
机构
[1] HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
[2] CALTECH,PASADENA,CA 91125
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 03期
关键词
D O I
10.1116/1.583781
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:745 / 748
页数:4
相关论文
共 7 条