TECHNOLOGY FOR MONOLITHIC HIGH-POWER INTEGRATED-CIRCUITS USING POLYCRYSTALLINE SI FOR COLLECTOR AND ISOLATION WALLS

被引:8
作者
KOBAYASHI, I [1 ]
机构
[1] SONY CORP, RES CTR, HODOGAYA, YOKOHAMA, JAPAN
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1973.17662
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:399 / 404
页数:6
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