MEMORY EFFECTS OF CDIN2S4 SINGLE-CRYSTAL

被引：6

作者：

UENO, M ^{[1
]}

ENDO, S ^{[1
]}

IRIE, T ^{[1
]}

机构：

[1] SCI UNIV TOKYO,FAC TECHNOL,DEPT ELECT ENGN,SHINJUKU,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.13.580

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：580 / 580

页数：1

共 7 条

[1]

ALLAKHVERDIEV KR, 1972, SOV PHYS SEMICOND+, V6, P507

[2] NEGATIVE MAGNETORESISTANCE EFFECT IN CDIN2S4 [J].

IWAI, T ;

ENDO, S ;

IRIE, T .

[3] OPTICAL-ABSORPTION IN CDIN2S4 [J].

NAKANISHI, H ;

ENDO, S ;

IRIE, T .

[4]

ROMEO N, 1972, SOLID STATE ELECTRON, V16, P427

SUDO, I ;

ENDO, S ;

IRIE, T ;

NAKANISHI, H .

[6]

SUDO I, 1970, J PHYS SOC JAPAN, V29, P519

[7] ELECTRICAL SWITCHING AND MEMORY PHENOMENA IN CUFE2O4 [J].

YAMASHIRO, T .