STUDIES OF DEFECTS IN NEUTRON-IRRADIATED P-TYPE SILICON BY ADMITTANCE MEASUREMENTS OF N+-P DIODES

被引：10

作者：

TOKUDA, Y ^{[1
]}

USAMI, A ^{[1
]}

机构：

[1] NAGOYA INST TECHNOL,DEPT ELECTR,SHOWA KU,NAGOYA,AICHI 466,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.324607

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：603 / 607

页数：5

共 23 条

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