ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE

被引：1

作者：

LAKRIMI, M

MASON, NJ

NICHOLAS, RJ

STRINGFELLOW, GB

SUMMERS, G

WALKER, PJ

机构：

[1] Clarendon Laboratory, Oxford

来源：

关键词：

Semiconducting Gallium Compounds;

D O I：

10.1016/0022-0248(91)90514-6

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：518 / 519

页数：2

共 4 条

[1] GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE [J].

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