LOCALIZED EPITAXIAL-GROWTH OF RESI2 ON (111) AND (001) SILICON

被引：25

作者：

CHU, JJ ^{[1
]}

CHEN, LJ ^{[1
]}

TU, KN ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.339795

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：461 / 465

页数：5

共 13 条

[1]

[Anonymous], 1967, HDB LATTICE SPACINGS

[2]

CHANG YS, 1986, MATERIALS RES SOC S, V54, P57

[3]

CHEN LJ, 1986, MATER RES SOC S P, V54, P245

[4]

Elliot R. P., 1965, CONSTITUTION BINAR S

[5]

LASHKAREN GV, 1962, AT ENERGY, V13, P187

[6] LOCALIZED EPITAXIAL-GROWTH OF WSI2 ON SILICON [J].

LIN, WT ;

CHEN, LJ .

[7] LOCALIZED EPITAXIAL-GROWTH OF MOSI2 ON SILICON [J].

LIN, WT ;

CHEN, LJ .

MARKOV, I ;

MILCHEV, A .

[9]

NICOLET MA, 1983, MATERIALS PROCESS CH, P329

[10]

SAMSONOV GV, 1964, PLENUM PRESS HDB HIG, V2