INGAASP-INP AVALANCHE PHOTO-DIODE

被引：46

作者：

TAKANASHI, Y

HORIKOSHI, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1978年 / 17卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.17.2065

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：2065 / 2066

页数：2

相关论文

共 3 条

[1] CONTROL OF ELECTRIC FIELD AT SURFACE OF P-N JUNCTIONS [J].

DAVIES, RL ;

GENTRY, FE .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1964, ED11 (07) :313-+

[2] GAINASP-INP AVALANCHE PHOTO-DIODES [J].

HURWITZ, CE ;

HSIEH, JJ .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1978, 32 (08) :487-489

[3] GROWTH AND CHARACTERIZATION OF LATTICE-MATCHED EPITAXIAL-FILMS OF GAXIN1-XAS-INP BY LIQUID-PHASE EPITAXY [J].

PEARSALL, TP ;

HOPSON, RW .

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1978, 7 (01) :133-146