DOUBLE INJECTION CURRENTS IN LONG P-I-N DIODES WITH ONE TRAPPING LEVEL

被引:22
作者
DEULING, HJ
机构
关键词
D O I
10.1063/1.1659186
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:2179 / &
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