GAAS JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS FOR LOW-TEMPERATURE ENVIRONMENTS

被引：10

作者：

FORREST, SR

SANDERS, TM

机构：

来源：

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS | 1978年 / 49卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1135322

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页码：1603 / 1604

页数：2

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