1.0-1.6 MU-M PLANAR AVALANCHE PHOTO-DIODE BY LPE GROWN INP/INGAAS/INP DH STRUCTURE

被引：15

作者：

SHIRAI, T

YAMAZAKI, S

YASUDA, K

MIKAWA, T

NAKAJIMA, K

KANEDA, T

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1982年 / 18卷 / 13期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19820389

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：575 / 577

页数：3

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共 4 条

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