DETERMINATION OF THE PHONON MODES INVOLVED IN THE CARRIER-PHONON INTERACTION IN SILICON INVERSION-LAYERS AT LOW-TEMPERATURES BY NONOHMIC TRANSPORT MEASUREMENTS

被引：32

作者：

NEUGEBAUER, T ^{[1
]}

LANDWEHR, G ^{[1
]}

机构：

[1] MAX PLANCK INST FESTKOERPERFORSCH,HOCHFELDMAGNETLAB,F-38042 GRENOBLE,FRANCE

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1980年 / 21卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.21.702

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：702 / 708

页数：7

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共 23 条

[21]

ROTH LM, 1966, SEMICONDUCT SEMIMET, V1, P159

[22] PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR SURFACE INVERSION LAYERS IN ELECTRIC QUANTUM LIMIT [J].

STERN, F ;

HOWARD, WE .

PHYSICAL REVIEW, 1967, 163 (03) :816-&

[23]

SUGANO T, 1973, J FACULTY ENGINEERIN, V32, P281