ELECTRONIC STATES AND TRANSPORT-PROPERTIES OF AN N-TYPE DELTA-FUNCTION DOPING LAYER IN P-TYPE SI

被引：8

作者：

TEMPEL, G ^{[1
]}

KOCH, F ^{[1
]}

ZEINDL, HP ^{[1
]}

EISELE, I ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV BUNDESWEHR,FACHBEREICH ELEKTROTECH,D-8014 NEUBIBERG,FED REP GER

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1987年 / 48卷 / C-5期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1987555

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：259 / 262

页数：4

共 3 条

KUNZE, U ;

LAUTZ, G .

ZACHAU, M ;

KOCH, F ;

PLOOG, K ;

ROENTGEN, P ;

BENEKING, H .

ZEINDL, HP ;

WEGEHAUPT, T ;

EISELE, I ;

OPPOLZER, H ;

REISINGER, H ;

TEMPEL, G ;

KOCH, F .