12 GHZ HIGH-POWER GAAS/SI MESFETS

被引：15

作者：

CHARASSE, MN ^{[1
]}

BARTENLIAN, B ^{[1
]}

GERARD, B ^{[1
]}

HIRTZ, JP ^{[1
]}

LAVIRON, M ^{[1
]}

DEPARSCAU, AM ^{[1
]}

DEREVONKO, M ^{[1
]}

DELAGEBEAUDEUF, D ^{[1
]}

机构：

[1] THOMSON COMPOSANTS MICROONDES, F-91401 ORSAY, FRANCE

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1989年 / 28卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.28.L1896

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1896 / L1898

页数：3