TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY STUDY OF THE FORMATION OF EPITAXIAL COSI2/SI (111) BY A ROOM-TEMPERATURE CODEPOSITION TECHNIQUE

被引：25

作者：

DANTERROCHES, C ^{[1
]}

YAKUPOGLU, HN ^{[1
]}

LIN, TL ^{[1
]}

FATHAUER, RW ^{[1
]}

GRUNTHANER, PJ ^{[1
]}

机构：

[1] CALTECH,JET PROP LAB,PASADENA,CA 91109

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 52卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.99434

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：434 / 436

页数：3

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共 21 条

[21] DOUBLE HETEROEPITAXY IN THE SI (111)-COSI2-SI STRUCTURE [J].

SAITOH, S ;

ISHIWARA, H ;

FURUKAWA, S .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1980, 37 (02) :203-205