ION-BEAM INDUCED EPITAXY OF DEPOSITED AMORPHOUS SI AND SI-GE FILMS

被引：13

作者：

YU, AJ ^{[1
]}

MAYER, JW ^{[1
]}

EAGLESHAM, DJ ^{[1
]}

POATE, JM ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1989年 / 54卷 / 23期

关键词：

D O I：

10.1063/1.101523

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2342 / 2344

页数：3

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共 11 条

[11] INFLUENCE OF A THIN INTERFACIAL OXIDE LAYER ON THE ION-BEAM ASSISTED EPITAXIAL CRYSTALLIZATION OF DEPOSITED SI [J].

PRIOLO, F ;

LAFERLA, A ;

SPINELLA, C ;

RIMINI, E ;

FERLA, G ;

BAROETTO, F ;

LICCIARDELLO, A .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1988, 53 (26) :2605-2607