ANALYSIS OF INTERMODULATION DISTORTION IN GAAS MESFET AMPLIFIERS

被引：1

作者：

MINASIAN, RA

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1978年 / 14卷 / 18期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19780395

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：590 / 591

页数：2

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共 5 条

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