ION-IMPLANTED GAAS BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：6

作者：

YUAN, HT

DOERBECK, FH

MCLEVIGE, WV

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19800442

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：637 / 638

页数：2

共 7 条

[1] DOUBLE DIFFUSED GALLIUM ARSENIDE TRANSISTORS [J].

BECKE, H ;

FLATLEY, D ;

STOLNITZ, D .

[2] ION-IMPLANTED GAAS X-BAND POWER FETS [J].

DOERBECK, FH ;

MACKSEY, HM ;

BREHM, GE ;

FRENSLEY, WR .

[3]

DOERBECK FH, I PHYS PHYS SOC C SE, V7, P205

[4]

HELIX MJ, 1977, IEDM TECH DIG, P195

JASTRZEBSKI, L ;

LAGOWSKI, J ;

GATOS, HC .

[6]

MCLEVIGE WV, 1977, J APPL PHYS, V48, P33

[7]

Muench Wv, 1966, SOLID STATE ELECTRON, V9, P939, DOI 10.1016/0038-1101(66)90069-4