DLTS STUDY OF DEEP TRAPS IN SI VARACTOR STRUCTURES

被引：1

作者：

HARMATHA, L ^{[1
]}

NAGL, V ^{[1
]}

STUCHLIKOVA, L ^{[1
]}

GAZI, M ^{[1
]}

HALAJ, J ^{[1
]}

机构：

[1] TESLA PIESTANY, PIESTANY 92101, SLOVAKIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(94)00185-I

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：933 / 934

页数：2

共 4 条

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