1.3 MU-M DISTRIBUTED FEEDBACK LASER DIODE WITH GRATING ACCURATELY CONTROLLED BY NEW FABRICATION TECHNIQUE

被引：9

作者：

TAKEMOTO, A

OHKURA, Y

KAWAMA, Y

KIMURA, T

YOSHIDA, N

KAKIMOTO, S

SUSAKI, W

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1989年 / 25卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19890157

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：220 / 221

页数：2

相关论文

共 2 条

[1] 1.3 MU-M INGAASP/INP DISTRIBUTED-FEEDBACK P-SUBSTRATE PARTIALLY INVERTED BURIED-HETEROSTRUCTURE LASER DIODE [J].

TAKEMOTO, A ;

SAKAKIBARA, Y ;

NAKAJIMA, Y ;

FUJIWARA, M ;

KAKIMOTO, S ;

NAMIZAKI, H ;

SUSAKI, W .

ELECTRONICS LETTERS, 1987, 23 (11) :546-547

[2] EXTREMELY LOW THRESHOLD INGAASP/INP DFB LASER BY MOCVD LPE HYBRID PROCESS [J].

YOSHIDA, N ;

KIMURA, T ;

MIZUGUCHI, K ;

OHKURA, Y ;

MUROTANI, T ;

KAWAGISHI, A .

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1988, 93 (1-4) :832-837