CURRENT STATUS OF REDUCED TEMPERATURE SILICON EPITAXY BY CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：32

作者：

SRINIVASAN, GR ^{[1
]}

MEYERSON, BS ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2100702

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1518 / 1524

页数：7

共 27 条

[21] AUTODOPING EFFECTS IN SILICON EPITAXY [J].

SRINIVASAN, GR .

[22] KINETICS OF LATERAL AUTO-DOPING IN SILICON EPITAXY [J].

SRINIVASAN, GR .

[23]

SRINIVASAN GR, 1981, SOLID STATE TECHNOL, V24, P101

[24]

SRINIVASAN GR, 1983, ASTM STP, V804, P151

[25]

SRINIVASAN GR, 1979, Patent No. 4153486

SUZUKI, S ;

ITOH, T .

TOWNSEND, WG ;

UDDIN, ME .