LASER ANNEALING OF SILICON-WAFERS AT 10.6 MU-M

被引：3

作者：

HAUCK, JP

BEGUWALA, MM

HAYES, CL

PALYS, RF

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1981年 / 64卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210640144

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：407 / 412

页数：6

共 6 条

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