ANALYSIS OF GOLD-SILICON BARRIER FORMATION PROCESS

被引：5

作者：

PANANAKAKIS, G ^{[1
]}

VIKTOROVITCH, P ^{[1
]}

PONPON, JP ^{[1
]}

机构：

[1] CTR RECH NUCL, PHYS & APPLICAT SEMICOND GRP, F-67037 STRASBOURG, FRANCE

来源：

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE | 1978年 / 13卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1051/rphysap:01978001309044900

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：449 / 455

页数：7

共 14 条

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