LOCALISED ANODIC OXIDE DIFFUSION SOURCES AND GEOMETRY CONTROL OF ANODIC OXIDE GROWTH ON SILICON

被引：3

作者：

SCHMIDT, PF

OROSHNIK, J

HARDMAN, CC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(64)90107-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：631 / 632

页数：2

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共 5 条

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BRATTAIN, WH
GARRETT, CGB
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1955, 34 (01): : 129 - 176
[2] DERMATIS SN, 1963, IEEE T COMMUN ELECTR, V82, P94
[3] OHARA S, 1963, J APPL PHYS, V35, P409
[4] ANODIC FORMATION OF OXIDE FILMS ON SILICON
SCHMIDT, PF
MICHEL, W
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1957, 104 (04) : 230 - 236
[5] SCHMIDT PF, 1964, J ELECTROCHEM SO JUN