FORMATION OF AMORPHOUS SILICON BY ION-BOMBARDMENT AS A FUNCTION OF ION, TEMPERATURE, AND DOSE

被引：111

作者：

MOREHEAD, FF

CROWDER, BL

TITLE, RS

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1661223

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1112 / &

共 22 条

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