TOPICS IN INVERSE PHOTOEMISSION

被引：14

作者：

DOSE, V

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A | 1987年 / 5卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.574913

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：2032 / 2037

页数：6

共 83 条

[81] STUDY OF III-V SEMICONDUCTOR BAND-STRUCTURE BY SYNCHROTRON PHOTOEMISSION
WILLIAMS, GP
CERRINA, F
ANDERSON, J
LAPEYRE, GJ
SMITH, RJ
HERMANSON, J
KNAPP, JA
[J]. PHYSICA B & C, 1983, 117 (MAR): : 350 - 352
[82] INVERSE PHOTOEMISSION
WOODRUFF, DP
JOHNSON, PD
SMITH, NV
[J]. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 1983, 1 (02): : 1104 - 1110
[83] NONLOCAL PSEUDOPOTENTIAL CALCULATION OF THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF RELAXED GAAS(110) SURFACE
ZUNGER, A
[J]. PHYSICAL REVIEW B, 1980, 22 (02) : 959 - 969